Número de Producto del Fabricante:
SIR872ADP-T1-RE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIR872ADP-T1-RE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
Descripción Detallada:
N-Channel 150 V 53.7A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventario:
2916 Pcs Nuevos Originales En Stock
13008394
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
infu
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SIR872ADP-T1-RE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
53.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
7.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
18mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1286 pF @ 75 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8
Número de producto base
SIR872
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Certificación DIGI
Productos relacionados
SQ2337ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
SQJ148EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
SIHP050N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 51A TO220AB
