Número de Producto del Fabricante:
HN3A51F(TE85L,F)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
HN3A51F(TE85L,F)-DG
Descripción:
TRANS 2PNP 120V 0.1A SM6
Descripción Detallada:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6
Inventario:
12889344
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ENVIAR
HN3A51F(TE85L,F) Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Arrays de transistores bipolares
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo de transistor
2 PNP (Dual)
Corriente - Colector (Ic) (Max)
100mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
120V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
200 @ 2mA, 6V
Potencia - Máx.
300mW
Frecuencia - Transición
100MHz
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SC-74, SOT-457
Paquete de dispositivos del proveedor
SM6
Número de producto base
HN3A51
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
HN3A51F(TE85LF)CT
HN3A51FTE85LF
HN3A51F(TE85LF)TR
HN3A51F (TE85L,F)
HN3A51F(TE85LF)DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
2SA1587-GR,LF
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
37024
NÚMERO DE PIEZA
2SA1587-GR,LF-DG
PRECIO UNITARIO
0.02
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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