Número de Producto del Fabricante:
SCT3030ALHRC11
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
SCT3030ALHRC11-DG
Descripción:
SICFET N-CH 650V 70A TO247N
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 70A (Tc) 262W Through Hole TO-247N
Inventario:
468 Pcs Nuevos Originales En Stock
13524431
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ENVIAR
SCT3030ALHRC11 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
70A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
18V
rds activados (máx.) @ id, vgs
39mOhm @ 27A, 18V
vgs(th) (máx.) @ id
5.6V @ 13.3mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
104 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1526 pF @ 500 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
262W
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247N
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
SCT3030
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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