Número de Producto del Fabricante:
NTP13N10G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTP13N10G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 13A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 13A (Ta) 64.7W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
12856607
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ENVIAR
NTP13N10G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
13A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
165mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
550 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
64.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
NTP13N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
NTP13N10GOS
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRL530PBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
10171
NÚMERO DE PIEZA
IRL530PBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.56
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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