Número de Producto del Fabricante:
FQAF8N80
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQAF8N80-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 5.9A TO3PF
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 5.9A (Tc) 107W (Tc) Through Hole TO-3PF
Inventario:
12850481
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ENVIAR
FQAF8N80 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 2.95A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2350 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
107W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3PF
Paquete / Caja
TO-3P-3 Full Pack
Número de producto base
FQAF8
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
360
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRFPE50PBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
353
NÚMERO DE PIEZA
IRFPE50PBF-DG
PRECIO UNITARIO
2.07
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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