FDZ299P
Número de Producto del Fabricante:

FDZ299P

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FDZ299P-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 4.6A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount 9-BGA (2x2.1)

Inventario:

12846236
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FDZ299P Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
55mOhm @ 4.6A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
9 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
742 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.7W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
9-BGA (2x2.1)
Paquete / Caja
9-WFBGA
Número de producto base
FDZ29

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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