Número de Producto del Fabricante:

VMO550-01F

Product Overview

Fabricante:

IXYS

Número de pieza:

VMO550-01F-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB

Descripción Detallada:

N-Channel 100 V 590A (Tc) 2200W (Tc) Chassis Mount Y3-DCB

Inventario:

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12821585

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VMO550-01F Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Littelfuse

Embalaje

-

Serie

HiPerFET™

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

100 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

590A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

2.1mOhm @ 500mA, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

6V @ 110mA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

2000 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

50000 pF @ 25 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

2200W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Chassis Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

Y3-DCB

Paquete / Caja

Y3-DCB

Número de producto base

VMO550

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar

2

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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