Número de Producto del Fabricante:
IXTY2N65X2
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXTY2N65X2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 2A TO252
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 2A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
12907800
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ENVIAR
IXTY2N65X2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
Ultra X2
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.3Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
4.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
180 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
55W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IXTY2
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
70
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPD80R2K0P7ATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
67
NÚMERO DE PIEZA
IPD80R2K0P7ATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.32
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
STD4N62K3
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
5433
NÚMERO DE PIEZA
STD4N62K3-DG
PRECIO UNITARIO
0.73
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
FDD5N60NZTM
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
45384
NÚMERO DE PIEZA
FDD5N60NZTM-DG
PRECIO UNITARIO
0.40
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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