IXFN82N60Q3
Número de Producto del Fabricante:

IXFN82N60Q3

Product Overview

Fabricante:

IXYS

Número de pieza:

IXFN82N60Q3-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 600V 66A SOT227B
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 66A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

Inventario:

50 Pcs Nuevos Originales En Stock
12821952
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IXFN82N60Q3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
HiPerFET™, Q3 Class
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
66A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
75mOhm @ 41A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
6.5V @ 8mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
275 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
13500 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
960W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-227B
Paquete / Caja
SOT-227-4, miniBLOC
Número de producto base
IXFN82

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
10

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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