Número de Producto del Fabricante:
IPP041N12N3GXKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPP041N12N3GXKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventario:
569 Pcs Nuevos Originales En Stock
12803539
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
hXo8
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPP041N12N3GXKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
120 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.1mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 270µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
211 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
13800 pF @ 60 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
IPP041
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
SP000652746
IPP041N12N3 G
IPP041N12N3 G-DG
IPP041N12N3GXKSA1-DG
448-IPP041N12N3GXKSA1
IPP041N12N3G
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRFR3303TR
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
IPB320N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 34A D2PAK
IRFHM8329TRPBF
MOSFET N-CH 30V 16A/57A PQFN
