Número de Producto del Fabricante:
DMN1150UFB-7B
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMN1150UFB-7B-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
Descripción Detallada:
N-Channel 12 V 1.41A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
Inventario:
27669 Pcs Nuevos Originales En Stock
12883503
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
Znkv
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
DMN1150UFB-7B Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.41A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
150mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
1.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
106 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
X1-DFN1006-3
Paquete / Caja
3-UFDFN
Número de producto base
DMN1150
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
10,000
Otros nombres
DMN1150UFB-7BDICT
DMN1150UFB-7BDITR
DMN1150UFB-7BDIDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
DMT3009LFVW-7
MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
DMN60H080DS-13
MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3
DMT3020LFCL-7
MOSFET N-CH 30V 7.6A 6UDFN
